NTJD4152PT1G 与 DMP2004DWK-7 区别
| 型号 | NTJD4152PT1G | DMP2004DWK-7 | ||||||
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| 唯样编号 | A3-NTJD4152PT1G | A36-DMP2004DWK-7 | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 | Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-363 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-363 | SOT-363 | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | -0.88A | 0.43A | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 260mΩ@880mA,4.5V | 900mΩ@430mA,4.5V | ||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA | ||||||
| 漏源极电压Vds | -20V | 20V | ||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 175pF @ 16V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 272mW | 250mW | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±12V | - | ||||||
| FET类型 | P-Channel | P-Channel | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 2,037 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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NTJD4152PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-363 P-Channel 260mΩ@880mA,4.5V 272mW -55°C~150°C ±12V -20V -0.88A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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DMP2004DWK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
900mΩ@430mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 P-Channel 20V 0.43A |
￥0.6369
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2,037 | 对比 | ||||||||
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FDG6316P | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
8V 270mΩ@700mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 P-Channel 12V 0.7A 700 mA 12 V 650 m0hms -8 V、+8 V SOT-363 (SC-70) 增强 2.0*1.25*1.0mm 146 pF @ -6 V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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DMP2004DWK-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
900mΩ@430mA,4.5V 250mW -65°C~150°C(TJ) SOT-363 P-Channel 20V 0.43A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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PMDT670UPE,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT666 P-Channel 0.33W 150°C 8V,-0.8V -20V -0.55A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SI1967DH-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
1.25W -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 P-Channel 20V 1.3A 490mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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