NTF3055L108T1G 与 STN3NF06L 区别
| 型号 | NTF3055L108T1G | STN3NF06L |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-NTF3055L108T1G | A3-STN3NF06L |
| 制造商 | ON Semiconductor | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 60 V 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223（TO-261） | STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 100mΩ@1.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.3W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±16V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-223-4 | SOT-223 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 4A |
| 系列 | - | STripFET™ II |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 9nC @ 5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 1,000 | 4,000 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTF3055L108T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223-4 |
暂无价格 | 1,000 | 当前型号 |
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 4,000 | 对比 |
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IRLL014NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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