NDS352AP 与 SI2303CDS-T1-GE3 区别
| 型号 | NDS352AP | SI2303CDS-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-NDS352AP | A-SI2303CDS-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 30 V 0.5 O Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3 | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 1.6 mm |
| 零件号别名 | - | SI2303BDS-T1-E3-S |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 190mΩ |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1W(Ta),2.3W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23-3 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 1.9A |
| 系列 | - | SI |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 长度 | - | 2.9 mm |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 155pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 8nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 高度 | - | 1.45 mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 50 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NDS352AP | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 |
|
XP152A11E5MR-G | Torex Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23 500mW(Ta) 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
SI2303CDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1W(Ta),2.3W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 P-Channel 30V 1.9A 190mΩ |
暂无价格 | 50 | 对比 |
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