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NDS332P  与  SI2301A-TP  区别

型号 NDS332P SI2301A-TP
唯样编号 A3-NDS332P A36-SI2301A-TP
制造商 ON Semiconductor MCC
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 P-Channel 20V 0.3O SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 300 毫欧 @ 1.1A,4.5V 120mΩ@2.8A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 1.25W
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET 类型 - P-Channel
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 SuperSOT SOT-23
输入电容Ciss - 880pF @ 6V
连续漏极电流Id 1A 2.8A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 195pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V -
栅极电荷Qg - 14.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 195pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 2,900
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.5995
200+ :  ¥0.273
1,500+ :  ¥0.1695
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NDS332P ON Semiconductor 通用MOSFET

1A(Ta) ±8V 500mW(Ta) 300m Ohms@1.1A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 20V 1A 300 毫欧 @ 1.1A,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
NTR1P02LT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 6,000 对比
DMP2225L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±12V 1.08W(Ta) 110mΩ@2.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 2.6A

¥0.2511 

阶梯数 价格
200: ¥0.2511
3,000: ¥0.2228
4,459 对比
SI2301A-TP MCC 小信号MOSFET

SOT-23 -55°C~150°C(TJ) 2.8A 120mΩ@2.8A,4.5V 20V 1.25W ±8V

¥0.5995 

阶梯数 价格
90: ¥0.5995
200: ¥0.273
1,500: ¥0.1695
2,900 对比
NTR1P02LT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

¥0.7755 

阶梯数 价格
70: ¥0.7755
200: ¥0.6318
1,500: ¥0.5746
1,544 对比
AO3403 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3 P-Channel -30V ±12V -2.6A 1.4W 115mΩ@-2.6A,-10V -55℃~150℃

¥0.6424 

阶梯数 价格
80: ¥0.6424
200: ¥0.4901
745 对比

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