MGSF1N03LT1G 与 RTR025N03TL 区别
| 型号 | MGSF1N03LT1G | RTR025N03TL |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-MGSF1N03LT1G-1 | A-RTR025N03TL |
| 制造商 | ON Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 30 V 1.6A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236） | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 1.6 mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 92mΩ@2.5A,4.5V |
| 上升时间 | - | 15 ns |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1W(Ta) |
| 典型关闭延迟时间 | - | 25 ns |
| 栅极电压Vgs | - | 12V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23 | TSMT |
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 2.5A |
| 系列 | - | RTR |
| 配置 | - | Single |
| 通道数量 | - | 1 Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 1mA |
| 长度 | - | 2.9 mm |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 220pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 4.6nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,4.5V |
| 下降时间 | - | 10 ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 9 ns |
| 高度 | - | 0.85 mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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MGSF1N03LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||||||
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QS5U17TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 900mW 100mΩ@2A,4.5V -55°C~150°C TSOT-23-5 N-Channel 30V 2A(Ta) |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||
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QS5U17TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 900mW 100mΩ@2A,4.5V -55°C~150°C TSOT-23-5 N-Channel 30V 2A(Ta) |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||
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QS5U17TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 900mW 100mΩ@2A,4.5V -55°C~150°C TSOT-23-5 N-Channel 30V 2A(Ta) |
￥5.178
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97 | 对比 | ||||||||||
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RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSH108,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 N-Channel 0.83W 150°C 1.5V,20V 30V 1.9A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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