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IRLS3036TRLPBF  与  BUK962R5-60E,118  区别

型号 IRLS3036TRLPBF BUK962R5-60E,118
唯样编号 A3-IRLS3036TRLPBF A36-BUK962R5-60E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.4mΩ@165A,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 380W(Tc) 349W
输出电容 - 1051pF
栅极电压Vgs ±16V ±10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃
连续漏极电流Id 270A 120A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 11210pF @ 50V -
输入电容 - 13070pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 2.5mΩ@25A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11210pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 3,200 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLS3036TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 3,200 当前型号
BUK762R4-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK762R4-60E_SOT404

¥16.6362 

阶梯数 价格
210: ¥16.6362
400: ¥14.0985
800: ¥12.9344
4,000 对比
PSMN1R7-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN1R7-60BS_SOT404

¥15.4899 

阶梯数 价格
210: ¥15.4899
400: ¥13.127
800: ¥12.0431
0 对比
BUK962R5-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK962R5-60E_SOT404

¥16.6362 

阶梯数 价格
210: ¥16.6362
400: ¥14.0985
800: ¥12.9344
0 对比
IPB120N06S4H1ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
BUK962R5-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK962R5-60E_SOT404

暂无价格 0 对比

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