首页 > 商品目录 > > > > IRLS3036TRLPBF代替型号比较

IRLS3036TRLPBF  与  IPB120N06S4H1ATMA1  区别

型号 IRLS3036TRLPBF IPB120N06S4H1ATMA1
唯样编号 A3-IRLS3036TRLPBF A-IPB120N06S4H1ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 250W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.4mΩ@165A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 21900pF @ 25V
栅极电压Vgs ±16V -
封装/外壳 D2PAK TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 270A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 270nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 2.1 毫欧 @ 100A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11210pF @ 50V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 380W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 200uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 11210pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 120A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 3,200 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLS3036TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 3,200 当前型号
BUK762R4-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK762R4-60E_SOT404

¥16.6362 

阶梯数 价格
210: ¥16.6362
400: ¥14.0985
800: ¥12.9344
4,000 对比
PSMN1R7-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN1R7-60BS_SOT404

¥15.4899 

阶梯数 价格
210: ¥15.4899
400: ¥13.127
800: ¥12.0431
0 对比
BUK962R5-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK962R5-60E_SOT404

¥16.6362 

阶梯数 价格
210: ¥16.6362
400: ¥14.0985
800: ¥12.9344
0 对比
IPB120N06S4H1ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
BUK962R5-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK962R5-60E_SOT404

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售