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IRLML6401TRPBF  与  DMP2100U-7  区别

型号 IRLML6401TRPBF DMP2100U-7
唯样编号 A3-IRLML6401TRPBF A3-DMP2100U-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@4.3A,4.5V -
漏源极电压Vds 12V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta) 800mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 38mΩ@3.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 216 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±8V ±10V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V -
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.1 nC @ 4.5 V
封装/外壳 SOT-23 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 4.3A 4.3A(Ta)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250µA -
驱动电压 - 1.8V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 830pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V -
库存与单价
库存 9,000 30,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML6401TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 9,000 当前型号
IRLML6401TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

¥0.6875 

阶梯数 价格
80: ¥0.6875
200: ¥0.5239
1,500: ¥0.455
3,000: ¥0.403
33,480 对比
DMP2100U-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 30,000 对比
IRLML6401TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 9,000 当前型号
AO3401A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥1.449 

阶梯数 价格
440: ¥1.449
1,000: ¥1.0733
1,500: ¥0.805
3,000: ¥0.6279
6,000 对比
DMP2100U-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.6512 

阶梯数 价格
80: ¥0.6512
200: ¥0.4966
1,500: ¥0.4316
3,000: ¥0.3822
3,741 对比

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