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IRFZ44NPBF  与  AUIRFZ44N  区别

型号 IRFZ44NPBF AUIRFZ44N
唯样编号 A3-IRFZ44NPBF A-AUIRFZ44N
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ44N, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.82mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 17.5mΩ@25A,10V 24mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 49A 31A
长度 - 10.66mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1470pF @ 25V
高度 - 16.51mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 47 ns
漏源极电压Vds 55V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 94W(Tc) 45W
晶体管配置 -
FET类型 N-Channel -
系列 HEXFET® HEXFET
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1470pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 7.3 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
库存与单价
库存 20,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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