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IRFTS9342TRPBF  与  DMP3050LVT-7  区别

型号 IRFTS9342TRPBF DMP3050LVT-7
唯样编号 A3-IRFTS9342TRPBF A36-DMP3050LVT-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 DMP3050LVT: 30 V 50 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@5.8A,10V 50mΩ@4.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 1.8W(Ta)
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 6-TSOP TSOT-26
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.8A 4.5A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 595pF @ 25V 620pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V 10.5nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 595pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC -
库存与单价
库存 9,000 688
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
60+ :  ¥0.9405
200+ :  ¥0.649
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