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IRFTS9342TRPBF  与  RSQ035P03TR  区别

型号 IRFTS9342TRPBF RSQ035P03TR
唯样编号 A3-IRFTS9342TRPBF A-RSQ035P03TR
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.25W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@5.8A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 780pF @ 10V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 6-TSOP TSMT6(SC-95)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.8A -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 65 毫欧 @ 3.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 595pF -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 595pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 3.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 9.2nC @ 5V
库存与单价
库存 9,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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60: ¥0.9405
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