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IRFTS9342TRPBF  与  AO6403  区别

型号 IRFTS9342TRPBF AO6403
唯样编号 A3-IRFTS9342TRPBF A-AO6403
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 95
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@5.8A,10V 35mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 58mΩ
Qgd(nC) - 3.2
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 8
封装/外壳 6-TSOP TSOP-6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 5.8A -6A
Ciss(pF) - 760
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 595pF -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 15
Td(off)(ns) - 17
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2W
Qrr(nC) - 9.7
VGS(th) - -2.4
FET类型 P-Channel P-Channel
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 595pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC -
Coss(pF) - 140
Qg*(nC) - 6.7
库存与单价
库存 9,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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