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IRFS3306TRLPBF  与  BUK664R4-55C,118  区别

型号 IRFS3306TRLPBF BUK664R4-55C,118
唯样编号 A3-IRFS3306TRLPBF A-BUK664R4-55C,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 9.25mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.3mΩ -
上升时间 76ns -
Qg-栅极电荷 85nC -
栅极电压Vgs 20V 2.3V
正向跨导 - 最小值 230S -
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 160A 100A
配置 Single -
长度 10mm -
输入电容 - 5800pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 77ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF @ 50V -
高度 4.4mm -
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 230W 204W
输出电容 - 550pF
典型关闭延迟时间 40ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 6.6mΩ@5V,4.9mΩ@10V,7.7mΩ@4.5V
典型接通延迟时间 15ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
170+ :  ¥16.2383
400+ :  ¥12.2092
800+ :  ¥10.0076
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阶梯数 价格
10: ¥14.6862
100: ¥10.8787
400: ¥9.2192
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