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IRFR120ZTRPBF  与  IRFR120NTRLPBF  区别

型号 IRFR120ZTRPBF IRFR120NTRLPBF
唯样编号 A3-IRFR120ZTRPBF A-IRFR120NTRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRFR120Z Series 100 V 8.7 A 190 mOhm SMT HEXFET® Power MOSFET - TO-252AA Single N-Channel 100 V 48 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 190mΩ@5.2A,10V 210mΩ@5.6A,10V
漏源极电压Vds 10V 100V
Pd-功率耗散(Max) 35W 48W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-253-2 D-Pak
工作温度 -55°C~175°C -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.7A 9.4A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 330pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 330pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR120ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-253-2

暂无价格 2,000 当前型号
RSD050N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥6.2382 

阶梯数 价格
30: ¥6.2382
50: ¥3.5072
100: ¥3.3251
500: ¥3.1047
1,000: ¥2.9993
2,000: ¥2.664
4,000: ¥2.6544
18,115 对比
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IRFR120NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
STD6NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
BUK7275-100A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7275-100A_SOT428

¥5.6376 

阶梯数 价格
490: ¥5.6376
1,000: ¥4.3702
1,250: ¥3.5821
2,500: ¥3.2863
0 对比

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