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IRFPG50PBF  与  IRFP4768PBF  区别

型号 IRFPG50PBF IRFP4768PBF
唯样编号 A3-IRFPG50PBF A-IRFP4768PBF
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 1000 V 2 O 190 nC Power Mosfet - TO-247AC Single N-Channel 250 V 17.5 mOhm 270 nC 520 W Flange Mount Mosfet - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd 190W(Tc) 520W(Tc)
漏源极电压Vds 1000V 250V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247AC TO-247AC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.1A 93A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2800pF @ 25V 10880pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 190nC @ 10V 270nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
导通电阻Rds(On) 2Ω@3.6A,10V 17.5mΩ@56A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 10880pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 270nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFPG50PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

±20V 190W(Tc) 2Ω@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247AC N-Channel 1000V 6.1A

暂无价格 0 当前型号
STW7N105K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
IRFP3306PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 220W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.2mΩ@75A,10V N-Channel 60V 160A TO-247AC

暂无价格 0 对比
IRFP3710PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 25mΩ@28A,10V N-Channel 100V 57A TO-247AC

暂无价格 0 对比
STW7N105K5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
IRFP4768PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 520W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 17.5mΩ@56A,10V N-Channel 250V 93A TO-247AC

暂无价格 0 对比

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