首页 > 商品目录 > > > > IRFBC30APBF代替型号比较

IRFBC30APBF  与  STP4NK60Z  区别

型号 IRFBC30APBF STP4NK60Z
唯样编号 A3-IRFBC30APBF A36-STP4NK60Z
制造商 Vishay STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 IRFBC30A Series N-Channel 600 V 2.2 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
连续漏极电流Id 3.6A(Tc) -
工作温度 -55℃~150℃ -
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.2 Ohms @ 2.2A,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 74W -
Vgs(最大值) ±30V -
Vgs(th) 4.5V @ 250uA -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 0 21
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFBC30APBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

3.6A(Tc) N-Channel 2.2 Ohms @ 2.2A,10V 74W TO-220-3 -55℃~150℃ 600V

暂无价格 0 当前型号
STP4NK60Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 4,000 对比
SPP20N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP20N60C3HKSA1_208W TO-220 20.7A N-Channel 600V 2.1V,3.9V 190mΩ -55°C~150°C

暂无价格 500 对比
SPP11N80C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP11N80C3XKSA1_800V 11A 450mΩ 10V 156W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 500 对比
STP4NK60Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 21 对比
IPP015N04N G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP015N04NGXKSA1_250W 1.5mΩ@100A,10V 40V 120A TO-220 N-Channel ±20V -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售