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IRFBC30APBF  与  SPP11N80C3  区别

型号 IRFBC30APBF SPP11N80C3
唯样编号 A3-IRFBC30APBF A-SPP11N80C3
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 IRFBC30A Series N-Channel 600 V 2.2 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.2 Ohms @ 2.2A,10V 450mΩ
上升时间 - 15ns
漏源极电压Vds 600V 800V
Pd-功率耗散(Max) 74W 156W
Qg-栅极电荷 - 64nC
Vgs(th) 4.5V @ 250uA -
栅极电压Vgs - 10V
典型关闭延迟时间 - 72ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id 3.6A(Tc) 11A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC3
长度 - 10mm
Vgs(最大值) ±30V -
下降时间 - 10ns
典型接通延迟时间 - 25ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 0 500
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFBC30APBF Vishay  数据手册 通用MOSFET

3.6A(Tc) N-Channel 2.2 Ohms @ 2.2A,10V 74W TO-220-3 -55℃~150℃ 600V

暂无价格 0 当前型号
STP4NK60Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 4,000 对比
SPP20N60C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP20N60C3HKSA1_208W TO-220 20.7A N-Channel 600V 2.1V,3.9V 190mΩ -55°C~150°C

暂无价格 500 对比
SPP11N80C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP11N80C3XKSA1_800V 11A 450mΩ 10V 156W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 500 对比
STP4NK60Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 21 对比
SPP02N80C3 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPP02N80C3XKSA1_800V 2A 2.7Ω 20V 42W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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