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IRFB3307ZPBF  与  STP110N7F6  区别

型号 IRFB3307ZPBF STP110N7F6
唯样编号 A3-IRFB3307ZPBF A36-STP110N7F6
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ -
Qg-栅极电荷 79nC -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
栅极电压Vgs 20V -
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 120A -
配置 Single -
长度 10mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF -
高度 15.65mm -
漏源极电压Vds 75V -
Pd-功率耗散(Max) 230W -
FET类型 N-Channel -
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4750pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC -
库存与单价
库存 0 2
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3307ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

暂无价格 0 当前型号
STP75NF75 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥3.641 

阶梯数 价格
20: ¥3.641
100: ¥2.904
1,000: ¥2.695
1,975 对比
IRF1407PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

暂无价格 1,000 对比
IRF1407PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

¥5.192 

阶梯数 价格
10: ¥5.192
100: ¥4.169
167 对比
IRF3808PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

¥6.71 

阶梯数 价格
8: ¥6.71
100: ¥5.368
138 对比
STP110N7F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 2 对比

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