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IRF9640PBF  与  FQP12P20  区别

型号 IRF9640PBF FQP12P20
唯样编号 A3-IRF9640PBF A3t-FQP12P20
制造商 Vishay ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 IRF9640 Series 200 V 0.5 Ohms Single P-Channel Power Mosfet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率 - 120W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 500mΩ 470 毫欧 @ 5.75A,10V
上升时间 43ns -
Qg-栅极电荷 44nC -
栅极电压Vgs 2V ±30V
正向跨导 - 最小值 4.1S -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A 11.5A(Tc)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 38ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 25V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 125W 120W(Tc)
典型关闭延迟时间 39ns -
FET类型 - P-Channel
系列 IRF QFET®
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V 1200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 44nC @ 10V 40nC @ 10V
典型接通延迟时间 14ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 40nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF9640PBF Vishay  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 11A 125W 500mΩ 200V 2V

暂无价格 0 当前型号
FQP12P20 ON Semiconductor 通用MOSFET

120W(Tc) 470m Ohms@5.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB 11.5A P-Channel 200V 11.5A(Tc) ±30V 470 毫欧 @ 5.75A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

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