| 型号 | IRF840PBF | AOT9N40 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-IRF840PBF | A-AOT9N40 | ||
| 制造商 | Vishay | AOS | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | ||||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Crss(pF) | - | 5.7 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 850mΩ | 800mΩ@10V | ||
| 上升时间 | 23ns | - | ||
| ESD Diode | - | No | ||
| Qg-栅极电荷 | 63nC | - | ||
| Qgd(nC) | - | 4.8 | ||
| 栅极电压Vgs | 2V | 30V | ||
| 正向跨导 - 最小值 | 4.9S | - | ||
| Td(on)(ns) | - | 17 | ||
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220 | ||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - | ||
| 连续漏极电流Id | 8A | 8A | ||
| 配置 | Single | - | ||
| Ciss(pF) | - | 630 | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - | ||
| 下降时间 | 20ns | - | ||
| Schottky Diode | - | No | ||
| Trr(ns) | - | 195 | ||
| Td(off)(ns) | - | 25 | ||
| 漏源极电压Vds | 500V | 400V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | 125W | 132W | ||
| Qrr(nC) | - | 1900 | ||
| VGS(th) | - | 4.5 | ||
| 典型关闭延迟时间 | 49ns | - | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 系列 | IRF | - | ||
| 通道数量 | 1Channel | - | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | - | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1300pF @ 25V | - | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 63nC @ 10V | - | ||
| 典型接通延迟时间 | 14ns | - | ||
| Coss(pF) | - | 73 | ||
| Qg*(nC) | - | 13.1* | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 710,000 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF840PBF | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-220-3 8A 125W 850mΩ 500V 2V |
￥2.65
|
710,000 | 当前型号 | ||||
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STP9NK50Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||
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AOT9N40 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 N-Channel 400V 30V 8A 132W 800mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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STP9NK50Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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STP5NK50Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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|
STP5NK50Z | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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