IRF530PBF 与 FQP13N10 区别
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规格信息
型号	IRF530PBF	FQP13N10
唯样编号	A3-IRF530PBF	A3t-FQP13N10
制造商	Vishay	ON Semiconductor
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	通用MOSFET
描述	Single N-Channel 100 V 0.16 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3	N-Channel 00 V 0.18 Ohm Through Hole Mosfet - TO-220
数据表	IRF530PBF.pdf IRF530PBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	-	65W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	160 mOhms @ 8.4A,10V	180 毫欧 @ 6.4A,10V
漏源极电压Vds	100V	100V
Pd-功率耗散(Max)	88W(Tc)	65W(Tc)
Vgs(th)	4V @ 250uA	-
栅极电压Vgs	-	±25V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-220-3	TO-220-3
连续漏极电流Id	14A(Tc)	12.8A(Tc)
工作温度	-55°C~175°C	-55°C~175°C(TJ)
系列	-	QFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	-	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	450pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	16nC @ 10V
Vgs(最大值)	±20V	-
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	-	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	450pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	16nC @ 10V
库存与单价
库存	14,000	0
工厂交货期	3 - 15天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
购买数量	点击询价	点击询价

推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
IRF530PBF	Vishay	数据手册	通用MOSFET	14A(Tc) N-Channel 160 mOhms @ 8.4A,10V 88W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 100V	暂无价格	14,000	当前型号
IRF530NPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	TO-220AB N-Channel 70W 90mΩ@ 9A,10V -55°C~175°C ±20V 100V 17A	暂无价格	1,000	对比
PHP18NQ10T,127	Nexperia	数据手册	功率MOSFET	SOT78 N-Channel 79W 175°C 3V 100V 18A	暂无价格	0	对比
FQP13N10	ON Semiconductor		通用MOSFET	65W(Tc) 180m Ohms@6.4A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220AB 12.8A N-Channel 100V 12.8A(Tc) ±25V 180 毫欧 @ 6.4A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3	暂无价格	0	对比
IRF530A	ON Semiconductor		通用MOSFET	55W(Tc) 110m Ohms@7A,10V -55°C~175°C(TJ) 14A 100V 14A(Tc) 110 毫欧 @ 7A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 14 A 100 V 110 m0hms 4V TO-220AB 增强 10.14.79.4mm 10 V 时,27 常闭 610 pF @ 25 V	暂无价格	0	对比
RFP12N10L	ON Semiconductor		通用MOSFET	60W(Tc) 200m Ohms@12A,5V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 100V 12A(Tc) ±10V 200 毫欧 @ 12A,5V -55°C~150°C(TJ) TO-220AB TO-220-3	暂无价格	0	对比