首页 > 商品目录 > > > > IRF3710PBF代替型号比较

IRF3710PBF  与  PSMN013-100PS,127  区别

型号 IRF3710PBF PSMN013-100PS,127
唯样编号 A3-IRF3710PBF A-PSMN013-100PS,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 200 W 130 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB PSMN Series 100 V 25 mOhm 170 W N-Channel Standard Level Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ@28A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 170W
输出电容 - 221pF
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 57A 68A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3130pF @ 25V -
输入电容 - 3195pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 13.9mΩ@15A,10V
库存与单价
库存 5,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥9.4602
50+ :  ¥7.7543
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3710PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 5,000 当前型号
STP60NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN7R0-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R0-100PS_SOT78

¥13.3875 

阶梯数 价格
20: ¥13.3875
50: ¥10.9734
0 对比
DMNH10H028SCT Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN013-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN013-100PS_TO-220

¥9.4602 

阶梯数 价格
20: ¥9.4602
50: ¥7.7543
0 对比
STP60NF10 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售