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IPD70R1K4CEAUMA1  与  AOD1R4A70  区别

型号 IPD70R1K4CEAUMA1 AOD1R4A70
唯样编号 A3-IPD70R1K4CEAUMA1 A-AOD1R4A70
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 1.3
功率耗散(最大值) 53W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1400mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 2
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 225pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 3.8A
Ciss(pF) - 354
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.4 欧姆 @ 1A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 176
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 700V
Pd-功率耗散(Max) - 48W
Qrr(nC) - 1.4
VGS(th) - 4.1
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 130uA -
FET功能 超级结 -
25°C时电流-连续漏极(Id) 5.4A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 700V -
Coss(pF) - 12
Qg*(nC) - 8
库存与单价
库存 0 50
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD70R1K4CE_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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