首页 > 商品目录 > > > > IMH1AT110代替型号比较

IMH1AT110  与  RN4603(TE85L,F)  区别

型号 IMH1AT110 RN4603(TE85L,F)
唯样编号 A3-IMH1AT110 A-RN4603(TE85L,F)
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述 IMH1A Series 50 V 100 mA SMT Dual NPN General Purpose Digital Transistor - SC-74 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 22K Ohms -
功率耗散Pd 300mW -
功率 - 300mW
特征频率fT 250MHz -
电阻器-发射极(R2) - 22 千欧
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 300mV @ 250uA,5mA
集电极-射极饱和电压 300mV -
产品状态 - 在售
电流-集电极(Ic)(最大值) - 100mA
电阻器-基极(R1) - 22 千欧
封装/外壳 SOT-457 SM6
电压-集射极击穿(最大值) - 50V
工作温度 -55℃~150℃ -
频率-跃迁 - 200MHz,250MHz
集电极连续电流 100mA -
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 70 @ 10mA,5V
电流-集电极截止(最大值) - 100nA(ICBO)
直流电流增益hFE 56 -
集电极-发射极最大电压VCEO 50V -
晶体管类型 NPN 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
R1 22K Ohms -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IMH1AT110 ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-457

暂无价格 100 当前型号
RN4603(TE85L,F) Toshiba  数据手册 通用三极管

SM6

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售