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IMH11AT110  与  RN1606(TE85L,F)  区别

型号 IMH11AT110 RN1606(TE85L,F)
唯样编号 A3-IMH11AT110 A-RN1606(TE85L,F)
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述 IMH11A Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN Digital Transistor - SC-74 TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 10K Ohms -
功率耗散Pd 300mW -
功率 - 300mW
特征频率fT 250MHz -
电阻器-发射极(R2) - 47 千欧
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 300mV @ 250uA,5mA
集电极-射极饱和电压 300mV -
产品状态 - 在售
电流-集电极(Ic)(最大值) - 100mA
电阻器-基极(R1) - 4.7 千欧
封装/外壳 SOT-457 SM6
电压-集射极击穿(最大值) - 50V
工作温度 -55℃~150℃ -
频率-跃迁 - 250MHz
集电极连续电流 100mA -
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 10mA,5V
电流-集电极截止(最大值) - 100nA(ICBO)
直流电流增益hFE 30 -
集电极-发射极最大电压VCEO 50V -
晶体管类型 NPN 2 个 NPN 预偏压式(双)
R1 10K Ohms -
库存与单价
库存 300 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IMH11AT110 ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-457 300mW NPN 50V 100mA 300mV 30 250MHz

暂无价格 300 当前型号
PIMD3,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PIMD3_SOT-457 400mW N+P-Channel 50V 100mA 150mV 30 230MHz,180MHz 车规

¥0.836 

阶梯数 价格
1: ¥0.836
100: ¥0.6333
1,000: ¥0.4948
1,500: ¥0.4056
3,000: ¥0.3527
10,980 对比
PIMD3,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

PIMD3_SOT-457 400mW N+P-Channel 50V 100mA 150mV 30 230MHz,180MHz 车规

¥0.6479 

阶梯数 价格
80: ¥0.6479
200: ¥0.5278
1,500: ¥0.4784
3,000: ¥0.4485
3,000 对比
PIMD3F Nexperia  数据手册 通用三极管

PIMD3_SOT-457 400mW N+P-Channel 50V 100mA 150mV 30 230MHz,180MHz 车规

¥0.4948 

阶梯数 价格
2,380: ¥0.4948
5,000: ¥0.4056
10,000: ¥0.3527
0 对比
RN1601(TE85L,F) Toshiba  数据手册 通用三极管

SM6 2 个 NPN 预偏压式(双)

暂无价格 0 对比
RN1606(TE85L,F) Toshiba  数据手册 通用三极管

SM6 2 个 NPN 预偏压式(双)

暂无价格 0 对比

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