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HUF75652G3  与  IRFP4410ZPBF  区别

型号 HUF75652G3 IRFP4410ZPBF
唯样编号 A3-HUF75652G3 A-IRFP4410ZPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 0.008 O Flange Mount UltraFET Power Mosfet - TO-247 Single N-Channel 100 V 230 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9mΩ@58A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 230W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247AC
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 97A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4820pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4820pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
库存与单价
库存 30 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
HUF75652G3 ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

TO-247-3

暂无价格 30 当前型号
IRFP4410ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 230W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 9mΩ@58A,10V N-Channel 100V 97A TO-247AC

暂无价格 0 对比

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