FQT7N10LTF 与 ZXMN10A11GTA 区别
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规格信息
型号	FQT7N10LTF	ZXMN10A11GTA
唯样编号	A3-FQT7N10LTF	A36-ZXMN10A11GTA
制造商	ON Semiconductor	Diodes Incorporated
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	MOSFET	通用MOSFET
描述	N-Channel 100 V 0.35 Ohm Surface Mount Mosfet - SOT-223	MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
数据表	FQT7N10LTF.pdf	ZXMN10A11GTA.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
封装/外壳	SOT-223-4	SOT-223-3
工作温度	-	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	-	1.7A(Ta)
驱动电压	-	6V,10V
漏源极电压Vds	-	100V
Pd-功率耗散(Max)	-	2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs	-	350mΩ@2.6A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	-	274 pF @ 50 V
栅极电压Vgs	-	±20V
FET类型	-	N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值)	-	5.4 nC @ 10 V
库存与单价
库存	4,000	0
工厂交货期	3 - 15天	3 - 15天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
FQT7N10LTF	ON Semiconductor	数据手册	MOSFET	SOT-223-4	暂无价格	4,000	当前型号
DMN10H220LE-13	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±20V 1.8W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A	暂无价格	0	对比
DMN10H220LE-13	Diodes Incorporated	数据手册	功率MOSFET	±20V 1.8W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A	暂无价格	0	对比
ZXMN10A11GTA	Diodes Incorporated	数据手册	通用MOSFET	N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55°C~150°C(TJ) 100V 1.7A(Ta)	暂无价格	0	对比
AOH3106	AOS	数据手册	功率MOSFET	SOT223 N-Channel 100V 20V 2A 3.1W 360mΩ@10V	暂无价格	0	对比
SIHLL110TR-GE3	Vishay	数据手册	通用MOSFET	1.5A(Tc) N-Channel 540 mOhms @ 900mA,5V 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223 -55°C~150°C 100V	暂无价格	0	对比