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FQT7N10LTF  与  DMN10H220LE-13  区别

型号 FQT7N10LTF DMN10H220LE-13
唯样编号 A3-FQT7N10LTF A3-DMN10H220LE-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 0.35 Ohm Surface Mount Mosfet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 220mΩ@1.6A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 1.8W(Ta)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-223-4 SOT-223
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 2.3A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 401pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.3nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 4,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQT7N10LTF ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-223-4

暂无价格 4,000 当前型号
DMN10H220LE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.8W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A

暂无价格 0 对比
DMN10H220LE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 1.8W(Ta) 220mΩ@1.6A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 100V 2.3A

暂无价格 0 对比
AOH3106 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT223 N-Channel 100V 20V 2A 3.1W 360mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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