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FQD8P10TM  与  DMP10H400SK3-13  区别

型号 FQD8P10TM DMP10H400SK3-13
唯样编号 A3-FQD8P10TM A36-DMP10H400SK3-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 100 V 0.53 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 240mΩ@5A,10V
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 42W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 TO-252-2 DPAK
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 9A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1239pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17.5nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 2,500 4,266
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥1.969
100+ :  ¥1.518
1,250+ :  ¥1.32
2,500+ :  ¥1.243
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQD8P10TM ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

TO-252-2

暂无价格 2,500 当前型号
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A

¥1.969 

阶梯数 价格
30: ¥1.969
100: ¥1.518
1,250: ¥1.32
2,500: ¥1.243
4,266 对比
IRFR9120NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

480mΩ@3.9A,10V ±20V 40W(Tc) -55°C~150°C(TJ) P-Channel 100V 6.6A D-Pak

暂无价格 0 对比
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A

暂无价格 0 对比
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A

¥1.2455 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.2455
12,500: ¥1.1532
0 对比

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