FQD8P10TM 与 DMP10H400SK3-13 区别
| 型号 | FQD8P10TM | DMP10H400SK3-13 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FQD8P10TM | A36-DMP10H400SK3-13 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | P-Channel 100 V 0.53 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3 | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 240mΩ@5A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 42W(Tc) | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | - | P-Channel | ||
| 封装/外壳 | TO-252-2 | DPAK | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | 9A | ||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1239pF @ 25V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 17.5nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 2,500 | 44 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQD8P10TM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252-2 |
暂无价格 | 2,500 | 当前型号 | ||||||
|
DMP10H400SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A |
￥1.52
|
388 | 对比 | ||||||
|
|
DMP10H400SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A |
￥2.321
|
44 | 对比 | ||||||
|
IRFR9120NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
480mΩ@3.9A,10V ±20V 40W(Tc) -55°C~150°C(TJ) P-Channel 100V 6.6A D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
DMP10H400SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
|
DMP10H400SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 42W(Tc) 240mΩ@5A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 9A |
￥1.2455
|
0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
