FQD11P06TM 与 IRLR9343TRPBF 区别
| 型号 | FQD11P06TM | IRLR9343TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FQD11P06TM-1 | A-IRLR9343TRPBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 60 V 0.185 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 105mΩ@3.4A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 55V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 79W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252AA | D-PAK(TO-252AA) |
| 工作温度 | - | -40°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 20A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 660pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 47nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 660pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 47nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,500 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQD11P06TM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
TO-252AA |
暂无价格 | 2,500 | 当前型号 |
|
STD10P6F6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 10,000 | 对比 |
|
IRFR9024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 38W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 175mΩ@6.6A,10V P-Channel 55V 11A TO-252-3 |
暂无价格 | 2,000 | 对比 |
|
|
STD10P6F6 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRLR9343TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 79W(Tc) -40°C~175°C(TJ) 105mΩ@3.4A,10V P-Channel 55V 20A D-PAK(TO-252AA) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
ZXMP7A17KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.11W(Ta) 160mΩ@2.1A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 70V 5.7A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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