FQB34P10TM 与 IRF5210STRLPBF 区别
| 型号 | FQB34P10TM | IRF5210STRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FQB34P10TM | A-IRF5210STRLPBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 100 V 0.06 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3 | Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5210STRLPBF, 38 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | D2PAK | TO-263-3 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | - | 38A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 60mΩ@38A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.1W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 800 | 800 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQB34P10TM | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 800 | 当前型号 |
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IRF5210STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263-3 P-Channel 60mΩ@38A,10V 3.1W(Ta) -55°C~150°C ±20V 100V 38A |
暂无价格 | 800 | 对比 |
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IRF5210SPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRF9540NSPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),110W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 117mΩ@14A,10V P-Channel 100V 23A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
IRF5210STRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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