FDT3612 与 ZXMN10A25GTA 区别
| 型号 | FDT3612 | ZXMN10A25GTA | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDT3612 | A36-ZXMN10A25GTA | ||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 100 V 3.7A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4 | MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223 | ||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-223-3 | SOT-223-3 | ||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 2.9A(Ta) | ||||||
| 驱动电压 | - | 10V | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 100V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W(Ta) | ||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 125mΩ@2.9A,10V | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 859 pF @ 50 V | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 17 nC @ 10 V | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 4,000 | 4,000 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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FDT3612 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223-3 |
暂无价格 | 4,000 | 当前型号 | ||||||||
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ZXMN10A25GTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55°C~150°C(TJ) 100V 2.9A(Ta) |
￥4.103
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4,000 | 对比 | ||||||||
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PHT6NQ10T,135 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT223 N-Channel 8.3W 150°C 3V,20V 100V 3A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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SIHFL110-GE3 | Vishay | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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