FDS9435A 与 IRF7406TRPBF 区别
| 型号 | FDS9435A | IRF7406TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDS9435A-2 | A-IRF7406TRPBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 30 V 50 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | Single P-Channel 30 V 2.5 W 59 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 45mΩ@2.8A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOP-8 | 8-SO |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 5.8A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 59nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1100pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 59nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,500 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS9435A | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOP-8 |
暂无价格 | 2,500 | 当前型号 | ||||
|
AO4459 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -6.5A 3.1W 46mΩ@10V |
￥0.769
|
0 | 对比 | ||||
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DMP3056LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOP 7.1A 2.5W 45mΩ 30V 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IRF9335TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 59mΩ@5.4A,10V P-Channel 30V 5.4A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IRF7205PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
70mΩ@4.6A,10V ±20V 2.5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 4.6A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
IRF7406PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
45mΩ@2.8A,10V ±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 5.8A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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