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FDS6679AZ  与  FDS6679  区别

型号 FDS6679AZ FDS6679
唯样编号 A3-FDS6679AZ-1 A32-FDS6679
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 P-Channel 30 V 9.3 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 P-Channel 30 V 9 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9 毫欧 @ 13A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 SOIC-8-150mil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 13A(Ta)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3939pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3939pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 100nC @ 10V
库存与单价
库存 2,500 468
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥3.0783
25+ :  ¥2.7984
100+ :  ¥2.544
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS6679AZ ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOIC-8-150mil

暂无价格 2,500 当前型号
AO4407A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±25V -12A 3.1W 11mΩ@12A,20V -55°C~150°C

¥1.0604 

阶梯数 价格
50: ¥1.0604
200: ¥0.8151
1,500: ¥0.7095
3,000: ¥0.66
22,636 对比
DMP3015LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 13A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 11m Ohms@13A,10V -55°C~150°C(TJ) 30V 13A 8-SOIC

¥1.9542 

阶梯数 价格
30: ¥1.9542
100: ¥1.496
1,250: ¥1.2997
2,500: ¥1.2436
3,670 对比
DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 7.5mΩ@13A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 12A

¥2.376 

阶梯数 价格
30: ¥2.376
100: ¥1.826
1,250: ¥1.595
2,500: ¥1.518
2,599 对比
FDS6679 ON Semiconductor 功率MOSFET

2.5W(Ta) 9m Ohms@13A,10V -55°C~175°C(TJ) SOIC 13A P-Channel 30V 13A(Ta) ±25V 9 毫欧 @ 13A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SO 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

¥3.0783 

阶梯数 价格
1: ¥3.0783
25: ¥2.7984
100: ¥2.544
468 对比
AO4407A AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 P-Channel -30V ±25V -12A 3.1W 11mΩ@12A,20V -55°C~150°C

暂无价格 55 对比

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