FDS6375 与 IRF6216PBF 区别
| 型号 | FDS6375 | IRF6216PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDS6375 | A-IRF6216PBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 20 V 24 mOhm 2.5V Specified PowerTrench Mosfet SOIC-8 | Single P-Channel 150 V 2.5 W 33 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 240mΩ@1.3A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2.5W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOP-8 | 8-SO |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 2.2A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1280pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 49nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1280pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 49nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,500 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDS6375 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOP-8 |
暂无价格 | 2,500 | 当前型号 |
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IRF6216TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 240mΩ@1.3A,10V P-Channel 150V 2.2A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP2066LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 2.5W(Ta) 40mΩ@5.8A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 20V 6.5A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF7240TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) 15mΩ@10.5A,10V -55°C~150°C(TJ) P-Channel 10.5A 40V 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF7240PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 15mΩ@10.5A,10V P-Channel 40V 10.5A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF6217TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 2.4Ω@420mA,10V P-Channel 150V 0.7A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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