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FDS4559  与  SI4559ADY-T1-GE3  区别

型号 FDS4559 SI4559ADY-T1-GE3
唯样编号 A3-FDS4559-1 A-Si4559ADY-T1-GE3
制造商 ON Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 N/P-Channel 60 V 55/105 mO Complementary PowerTrench Mosfet - SOIC-8 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SO-8 8-SOIC
连续漏极电流Id - 5.3A,3.9A
工作温度 - -55°C~150°C
Rds On(Max)@Id,Vgs - 58 mOhms @ 4.3A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 3.1W,3.4W
Vgs(th) - 3V @ 250uA
FET类型 - N+P-Channel
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
2,500+ :  ¥6.2197
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS4559 ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SO-8

暂无价格 2,500 当前型号
DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 5.1A,3.1A

暂无价格 0 对比
DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N+P-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 60V 5.1A,3.1A

暂无价格 0 对比
AO4612 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 60V 20V 4.5A 2W 56mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C

¥2.8012 

阶梯数 价格
3,000: ¥2.8012
0 对比
AUIRF7343QTR Infineon  数据手册 功率MOSFET

55V 4.7A,3.4A 50mΩ@4.7A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) 8-SO 车规

暂无价格 0 对比
SI4559ADY-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

5.3A,3.9A N+P-Channel 58 mOhms @ 4.3A,10V 3.1W,3.4W 8-SOIC -55°C~150°C 60V

¥6.2197 

阶梯数 价格
2,500: ¥6.2197
0 对比

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