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FDP51N25  与  IPP600N25N3GXKSA1  区别

型号 FDP51N25 IPP600N25N3GXKSA1
唯样编号 A3-FDP51N25 A-IPP600N25N3GXKSA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 250 V 60 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220 MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率 320W(Tc) -
功率耗散(最大值) - 136W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 60 毫欧 @ 25.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2350pF @ 100V
栅极电压Vgs ±30V -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
连续漏极电流Id 51A -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 29nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 60 毫欧 @ 25A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3410pF @ 25V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 250V -
Pd-功率耗散(Max) 320W(Tc) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 90uA
系列 UniFET™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3410pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 25A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 250V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDP51N25 ON Semiconductor 功率MOSFET

51A(Tc) ±30V 320W(Tc) 60m Ohms@25.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 250V 51A 60 毫欧 @ 25.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ)

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IPP600N25N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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IPP600N25N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP600N25N3GXKSA1_-55°C~175°C(TJ) 250V 25A 60mΩ 2V 136W N-Channel

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