FDN5630 与 DMN6140L-13 区别
| 型号 | FDN5630 | DMN6140L-13 | ||||||||||||
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| 唯样编号 | A3-FDN5630-1 | A36-DMN6140L-13 | ||||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||||
| 分类 | MOSFET | 小信号MOSFET | ||||||||||||
| 描述 | N-Channel 60 V 100 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-3 | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 | ||||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23-3 | ||||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 1.6A(Ta) | ||||||||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 700mW(Ta) | ||||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 140mΩ@1.8A,10V | ||||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 315 pF @ 40 V | ||||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 8.6 nC @ 10 V | ||||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 11,722 | ||||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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FDN5630 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||||||||||
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SI2310-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
￥0.4147
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34,511 | 对比 | ||||||||||||||
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DMN6140L-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 700mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 1.6A(Ta) |
￥0.6853
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11,722 | 对比 | ||||||||||||||
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MMBF170LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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SI2310-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||||||
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MMBF170LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 62 | 对比 |
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