FDN5630 与 IRLML0060TRPBF 区别
| 型号 | FDN5630 | IRLML0060TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDN5630-1 | A-IRLML0060TRPBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 60 V 100 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-3 | Single N-Channel 60 V 116 mOhm 2.5 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 92mΩ@2.7A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.25W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±16V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 2.7A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 290pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2.5nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 25µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 290pF @ 25V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 2.5nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDN5630 | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 |
|
SI2310-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
MMBF170LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
IRLML0060TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1.25W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 92mΩ@2.7A,10V N-Channel 60V 2.7A SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
MMBF170LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
DMN6140L-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
N-Channel 700mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 1.6A(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
