FDN360P 与 ZXMP3F30FHTA 区别
| 型号 | FDN360P | ZXMP3F30FHTA | ||||||||||
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| 唯样编号 | A3-FDN360P-2 | A36-ZXMP3F30FHTA | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | Single P-Channel 30 V 80 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-3 | MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23 | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23-3 | ||||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 2.8A(Ta) | ||||||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 950mW(Ta) | ||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 80mΩ@2.5A,10V | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 370 pF @ 15 V | ||||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 7 nC @ 10 V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 3,000 | 6,006 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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FDN360P | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO3421E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 P-Channel -30V 20V -3A 1.4W 95mΩ@10V |
￥0.6127
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14,028 | 对比 | ||||||||||||
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NTR4171PT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 480mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23 75mΩ@2.2A,10V P-Channel 30V 2.2A(Ta) |
￥0.7172
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11,172 | 对比 | ||||||||||||
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DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A |
￥0.5356
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6,555 | 对比 | ||||||||||||
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ZXMP3F30FHTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.8A(Ta) |
￥1.2903
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6,006 | 对比 | ||||||||||||
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DMP3130LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3.5A 1.3W 150mΩ 30V 1.3V 车规 |
￥1.122
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3,149 | 对比 |
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