FDN360P 与 DMP3130L-7 区别
| 型号 | FDN360P | DMP3130L-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDN360P-2 | A3-DMP3130L-7 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | Single P-Channel 30 V 80 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-3 | P-Channel 30 V 77 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 77mΩ@4.2A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 700mW(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±12V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 3.5A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 432pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 2.5V,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDN360P | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 |
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SI3407-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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SI3407-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP3068L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
P-Channel 3.3A(Ta) ±12V 700mW(Ta) 72m Ohms@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 30V 3.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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