FDN359AN 与 ZXMN3F30FHTA 区别
| 型号 | FDN359AN | ZXMN3F30FHTA | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDN359AN-1 | A36-ZXMN3F30FHTA | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | N-Channel 30 V 0.046 Ohm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 | MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SOT-23-3 | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 3.8A(Ta) | ||||||||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 950mW(Ta) | ||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 47mΩ@3.2A,10V | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 318 pF @ 15 V | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 7.7 nC @ 10 V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 3,000 | 2,583 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDN359AN | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||||||
|
AO3406 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V 20V 3.6A 1.4W 50mΩ@10V |
￥0.7876
|
15,000 | 对比 | ||||||||||
|
DMN3070SSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 780mW(Ta) 40mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 4.2A |
￥0.6222
|
4,923 | 对比 | ||||||||||
|
SI3404-TP | MCC | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
|
RTR040N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel |
￥0.9724
|
3,000 | 对比 | ||||||||||
|
ZXMN3F30FHTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.8A(Ta) |
￥1.639
|
2,583 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
