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FDN359AN  与  DMN3070SSN-7  区别

型号 FDN359AN DMN3070SSN-7
唯样编号 A3-FDN359AN-1 A36-DMN3070SSN-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 30 V 0.046 Ohm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 780mW(Ta)
漏源极电压Vds - 30V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SC-59
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4.2A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 697pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13.2nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
导通电阻Rds(On) - 40mΩ@4.2A,10V
库存与单价
库存 3,000 3,247
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6276
200+ :  ¥0.468
1,500+ :  ¥0.4264
3,000+ :  ¥0.3978
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN359AN ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 3,000 当前型号
AO3406 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 N-Channel 30V 20V 3.6A 1.4W 50mΩ@10V

¥0.7788 

阶梯数 价格
70: ¥0.7788
200: ¥0.5811
1,500: ¥0.5291
3,000: ¥0.494
61,744 对比
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel

¥0.9804 

阶梯数 价格
60: ¥0.9804
200: ¥0.7536
1,500: ¥0.6564
3,000: ¥0.6108
8,985 对比
DMN3070SSN-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

±20V 780mW(Ta) 40mΩ@4.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 4.2A

¥0.6276 

阶梯数 价格
80: ¥0.6276
200: ¥0.468
1,500: ¥0.4264
3,000: ¥0.3978
3,247 对比
SI3404-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 3,000 对比
ZXMN3F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 3.8A(Ta)

¥2.256 

阶梯数 价格
30: ¥2.256
100: ¥1.8
750: ¥1.596
1,500: ¥1.524
2,377 对比

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