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FDN359AN  与  DMN3070SSN-7  区别

型号 FDN359AN DMN3070SSN-7
唯样编号 A3-FDN359AN-1 A3-DMN3070SSN-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 30 V 0.046 Ohm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 40mΩ@4.2A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 780mW(Ta)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-23-3 SC-59
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 4.2A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 697pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13.2nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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