首页 > 商品目录 > > > > FDN358P代替型号比较

FDN358P  与  BSS314PEH6327XTSA1  区别

型号 FDN358P BSS314PEH6327XTSA1
唯样编号 A3-FDN358P A36-BSS314PEH6327XTSA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30V 125 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 125 毫欧 @ 1.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 294pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 SuperSOT TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
连续漏极电流Id 1.5A -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.9nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 140 毫欧 @ 1.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 182pF @ 15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 6.3uA
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 182pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 2,182
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6952
200+ :  ¥0.5655
1,500+ :  ¥0.5148
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN358P ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

暂无价格 0 当前型号
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

暂无价格 24,200 对比
AO3409 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.6149 

阶梯数 价格
90: ¥0.6149
200: ¥0.3965
1,500: ¥0.3458
3,000: ¥0.3055
7,778 对比
BSS314PEH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS314PE H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.6952 

阶梯数 价格
80: ¥0.6952
200: ¥0.5655
1,500: ¥0.5148
2,182 对比
FDN352AP ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 1,639 对比
AO3403 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.7304 

阶梯数 价格
70: ¥0.7304
200: ¥0.5564
488 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售