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FDN358P  与  FDN352AP  区别

型号 FDN358P FDN352AP
唯样编号 A3-FDN358P A3-FDN352AP
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single P-Channel 30V 125 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 125 毫欧 @ 1.5A,10V 180mΩ@-1.3A,-10V
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 500mW
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SuperSOT SOT-23
连续漏极电流Id 1.5A -1.3A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 182pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 182pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 1,639
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN358P ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

暂无价格 0 当前型号
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

暂无价格 24,200 对比
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SOT-23-3

¥0.5889 

阶梯数 价格
90: ¥0.5889
200: ¥0.3809
1,500: ¥0.3302
3,000: ¥0.2925
7,385 对比
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

¥0.4719 

阶梯数 价格
110: ¥0.4719
200: ¥0.3042
1,500: ¥0.2639
6,157 对比
FDN352AP ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 1,639 对比
AO3403 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.7304 

阶梯数 价格
70: ¥0.7304
200: ¥0.5564
468 对比

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