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FDN357N  与  ZXMN3A01FTA  区别

型号 FDN357N ZXMN3A01FTA
唯样编号 A3-FDN357N A36-ZXMN3A01FTA
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ZXMN3A01 Series 30 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 60 毫欧 @ 2.2A,10V 120mΩ@2.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 625mW(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SuperSOT SOT-23
连续漏极电流Id 1.9A 2A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 10V 190pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.9nC @ 5V 3.9nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.9nC @ 5V -
库存与单价
库存 12,000 5,885
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.408
200+ :  ¥1.0846
1,500+ :  ¥0.9438
3,000+ :  ¥0.8206
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

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90: ¥0.616
100: ¥0.5018
500: ¥0.4563
2,500: ¥0.4225
5,000: ¥0.3952
10,000: ¥0.3692
10,564 对比
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¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
10,488 对比
ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥1.408 

阶梯数 价格
40: ¥1.408
200: ¥1.0846
1,500: ¥0.9438
3,000: ¥0.8206
5,885 对比

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