首页 > 商品目录 > > > > FDN357N代替型号比较

FDN357N  与  DMG3402L-7  区别

型号 FDN357N DMG3402L-7
唯样编号 A3-FDN357N A3-DMG3402L-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET MOSFET
描述 N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 60 毫欧 @ 2.2A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 1.4W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 52mΩ@4A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 464 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 11.7 nC @ 10 V
封装/外壳 SuperSOT SOT-23-3
连续漏极电流Id 1.9A 4A(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
驱动电压 - 2.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.9nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.9nC @ 5V -
库存与单价
库存 12,000 42,500
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

暂无价格 12,000 当前型号
DMG3402L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 42,500 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
17,763 对比
DMG3406L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 15,000 对比
ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥1.364 

阶梯数 价格
40: ¥1.364
200: ¥1.0483
1,500: ¥0.9108
3,000: ¥0.792
5,885 对比
AO3434A AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3

¥0.6424 

阶梯数 价格
80: ¥0.6424
200: ¥0.4901
1,500: ¥0.4264
3,000: ¥0.377
5,541 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售