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FDN352AP  与  IRLML9303TRPBF  区别

型号 FDN352AP IRLML9303TRPBF
唯样编号 A3-FDN352AP A36-IRLML9303TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET Single N-Channel 30 V 1.25 W 2 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 180mΩ@-1.3A,-10V 165mΩ@2.3A,10V
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW 1.25W(Ta)
栅极电压Vgs ±25V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id -1.3A 2.3A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 160pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 160pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2nC
库存与单价
库存 1,639 4,380
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.7139
200+ :  ¥0.5811
1,500+ :  ¥0.5291
3,000+ :  ¥0.494
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN352AP ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

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90: ¥0.5889
200: ¥0.3809
1,500: ¥0.3302
3,000: ¥0.2925
7,385 对比
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阶梯数 价格
110: ¥0.4719
200: ¥0.3042
1,500: ¥0.2639
6,157 对比
IRLML9303TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7139 

阶梯数 价格
80: ¥0.7139
200: ¥0.5811
1,500: ¥0.5291
3,000: ¥0.494
4,380 对比

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