首页 > 商品目录 > > > > FDN352AP代替型号比较

FDN352AP  与  DMP3160L-7  区别

型号 FDN352AP DMP3160L-7
唯样编号 A3-FDN352AP A36-DMP3160L-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P Channel 30 V 190 mO 1.08 W 8.2 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 180mΩ@-1.3A,-10V 122mΩ
上升时间 - 7.3ns
漏源极电压Vds -30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW 1.08W
Qg-栅极电荷 - 8.2nC
栅极电压Vgs ±25V 1.3V
典型关闭延迟时间 - 22.5ns
正向跨导 - 最小值 - 5.9S
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id -1.3A 2.7A
系列 - DMP31
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 227pF @ 10V
长度 - 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 13.4ns
典型接通延迟时间 - 4.8ns
高度 - 1mm
库存与单价
库存 1,639 6,157
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
110+ :  ¥0.4719
200+ :  ¥0.3042
1,500+ :  ¥0.2639
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN352AP ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 1,639 当前型号
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

暂无价格 24,200 对比
NTR4502PT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 18,000 对比
AO3409 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.5889 

阶梯数 价格
90: ¥0.5889
200: ¥0.3809
1,500: ¥0.3302
3,000: ¥0.2925
7,385 对比
DMP3160L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

¥0.4719 

阶梯数 价格
110: ¥0.4719
200: ¥0.3042
1,500: ¥0.2639
6,157 对比
IRLML9303TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7139 

阶梯数 价格
80: ¥0.7139
200: ¥0.5811
1,500: ¥0.5291
3,000: ¥0.494
4,380 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售